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元件参数资料
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参数目录40389
> BSO220N03MD G MOSFET N-CH DUAL 30V 6A DSO-8
型号:
BSO220N03MD G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET N-CH DUAL 30V 6A DSO-8
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
BSO220N03MD G PDF
产品目录绘图
Mosfets DSO-8
标准包装
1
系列
OptiMOS™
FET 型
2 个 N 沟道(双)
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
22 毫欧 @ 7.7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
10nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
800pF @ 15V
功率 - 最大
1.4W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装
PG-DSO-8
包装
剪切带 (CT)
其它名称
BSO220N03MD GCT
查看BSO220N03MD G代理商
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